 | ZnO-TFT技術の開発
ZnO-TFT技術の開発（コア研究室）
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| | Abstract 酸化亜鉛（ZnO）はワイドギャップ（〜3.3 eV）材料であり、ディスプレイ用 TFT 用途として考えた場合、可視光に対して透明であるため光リーク電流が少なく、透明·高移動度 TFT の特徴を活かした高開口率設計が期待できる。ZnO は、一般的なスパッタ法にて形成可能なため大面積化が容易であり、さらに室温付近の成膜温度において多結晶状態の薄膜が形成出来ることより、基板温度の制約があるプラスチック等のフレキシブル基板上へのTFT 活性層としても有望である。 |
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