JST200303 : 平成14年度事業開始<br>高知県　「次世代情報デバイス用薄膜ナノ技術の開発」 64-65

平成14年度事業開始
高知県　「次世代情報デバイス用薄膜ナノ技術の開発」 64-65

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紫外LED技術の開発
4-2 紫外LED技術の開発

山本哲也¹⁾, 藤田静雄²⁾, 西中浩之²⁾, 鎌田雄大²⁾

1) 高知工科大学総合研究所
2) 京都大学大学院工学研究科

Abstract ZnO の光学的基礎物性の評価から、ZnO の評価基準を明確にしてその高品質化の研究に寄与する。これをもとに紫外 LED のクラッド障 ZnMgO およびp 型 ZnMgO の開発を行なう。さらに、ZnO を上回るポテンシャルを持つような深紫外LED を目指す新材料を開発する。