JST200303 : 平成12年度事業開始<br>福井県　「光ビームによる機能性材料加工創成技術開発」 180-196

高輝度Yb:YAG固体レーザ技術に関する研究
高出力・短パルスYb:YAGレーザの開発
超短パルスYb:YAGレーザの開発

平等拓範¹⁾, 常包正樹²⁾, トライアン・ダスカル²⁾, 石月秀貴¹⁾, パベル・ニコライ¹⁾

1) 分子科学研究所
2) ふくい産業支援センター

Abstract 高出力・短パルスYb:YAGレーザの要素技術となるエッジ励起マイクロチップYb:YAGレーザの研究開発を行い、CW(連続発振)動作で340Wの出力とM²＜17の高輝度ビーム(市販レーザの約9倍の輝度)を得ることに成功した。また超短パルスを発生させるためのモード同期技術の開発ではSESAM(半導体可飽和吸収体)を用いたYb:YAGマイクロチップレーザで780fsの超短パルスの発生に成功した。さらに波長変換や超短パルス発生素子としても期待される赤外域OPO用MgO:LNの開発を行い、3mm厚のLN基板への反転分極構造の作成に世界で初めて成功した。