| 高輝度Yb:YAG固体レーザ技術に関する研究 高出力・短パルスYb:YAGレーザの開発 超短パルスYb:YAGレーザの開発
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| 平等 拓範1), 常包 正樹2), トライアン・ダスカル2), 石月 秀貴1), パベル・ニコライ1) |
| | Abstract 高出力・短パルスYb:YAGレーザの要素技術となるエッジ励起マイクロチップYb:YAGレーザの研究開発を行い、CW(連続発振)動作で340Wの出力とM2<17の高輝度ビーム(市販レーザの約9倍の輝度)を得ることに成功した。また超短パルスを発生させるためのモード同期技術の開発ではSESAM(半導体可飽和吸収体)を用いたYb:YAGマイクロチップレーザで780fsの超短パルスの発生に成功した。さらに波長変換や超短パルス発生素子としても期待される赤外域OPO用MgO:LNの開発を行い、3mm厚のLN基板への反転分極構造の作成に世界で初めて成功した。 | | | |