JST200303 : 平成12年度事業開始<br>福井県　「光ビームによる機能性材料加工創成技術開発」 147

高輝度光ビームによる薄膜形成技術に関する研究
高効率太陽電池用III-V族窒化物半導体のエピタキシャル成長に関する研究

太田泰雄¹⁾, 橋本明弘²⁾

1) 福井工業高等専門学校
2) 福井大学工学部

Abstract 高効率太陽電池用材料であるIII-V-N族化合物半導体のエピタキシャル成長について、結晶の高品質化をはかるためにIn-Nフラグメントを用いた局所的歪補償エピタキシャル成長の概念を提唱し、具体的に新規に設計された複合ガスセルを用いて局所的歪補償エピタキシャル成長法による結晶薄膜高品質化の実証を目指した。