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平成12年度事業開始
福井県 「光ビームによる機能性材料加工創成技術開発」
134-135
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高輝度光ビームによる薄膜形成技術に関する研究
III-V族窒化物半導体薄膜のエピタキルシャル成長に関する研究
太田 泰雄
1)
, 山本 あき勇
2)
1) 福井工業高等専門学校
2) 福井大学工学部
Abstract
本研究は、InN、GaNを中心としたIII族窒化物半導体の高品質薄膜形成技術を確立することを目的としている。
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