| | 主な研究成果 |  |
| (1)論文発表 (国内 15件, 海外 19件) | |
| “著者, 論文名, 掲載誌 (巻, 号, 発行年)等。” | |
| 1. K. Nakagawa, M. Fukuda, S. Miyazaki and M. Hirose, “Self-assembling formation of silicon quantum dots by low pressure chemical vapor deposition”, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.452 (1997) pp.243-248. | |
| 2. K. Shiba, K. Nakagawa, M. Ikeda, A. Kohno, S. Miyazaki and M. Hirose, “Optical Absorption and Photoluminescence of Self-Assembled Silicon Quantum Dots”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.36 (1997) pp.L1279-L1282. | |
| 3. S. Shingubara, O. Okino, Y. Sayama, H. Sakaue and T. Takahagi, “Ordered two-dimensional nanowire array formation using self-organized nanoholes of anodically oxidized aluminum”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.36 (1997) pp.7791-7795. | |
| 4. A. Kohno, M. Ikeda, H. Murakami, S. Miyazaki and M. Hirose, “Fabrication and Characterization of MOS Capacitors with Self-Assembled Silicon Quantum Dots as a Floating Gate”, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.452 (1997) p.243. | |
| 5. M. Saen, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata, “A Stochastic Associative Memory Using Single-Electron Tunneling Devices”, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E81-C, No.1 (1998) pp.30-35. | |
| 6. Y. Isawa, N. Matsubara and T. Ohuti, “Shot Noise in Double Barrier Structures”, Solid-State Electronics, Vol.42, No.7-8 (1998) pp.1515-1521. | |
| 7. S. Adachi and Y. Isawa, “Cell Design and Dynamics of Quantum Cellular Automata”, Solid-State Electronics, Vol.42, No.7-8 (1998) pp.1361-1366. | |
| 8. S.A.Ding, M.Ikeda, M.Fukuda, S.Miyazaki and M.Hirose, “Quantum Confinement Effect in Self-Assembled, Nanometer Silicon Dots”, Applied Physics Letters, Vol.73 (1998) pp.3881-3883. | |
| 9. S.Yokoyama, N. Ikeda, K.Kajikawa, Y.Nakashima, “Atomic-Layer Selective Deposition of Silicon Nitride on Hydrogen-Terminated Si Surfaces”, Applied Surface Science, Vol.130-132 (1998) pp.352-356. | |
| 10. T. Hatano, T. Tameshige and Y. Isawa, “New Structures of Quantized Current Plateaus in Semicondutor Turnstile Devices”, Journal of the Physical Society of Japan, Vol.67, No.11 (1998) pp.3683-3686. | |
| 11. K. Shibahara, H. Furumoto, K. Egusa, M. Koh and S. Yokoyama, “Dopant Loss Origins Of Low Energy Implanted Arsenic And Antimony For Ultra Shallow Junction Formation”, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.532 (1998) pp.23-28. | |
| 12. S. Shingubara, O.Okino, Y.Sayama, H.Sakaue, and T.Takahagi, “Two dimensional nanowire array formation on Si substrate using self-organized nanoholes of anodically oxidized aluminum”, Solid State Electronics, Vol.43 (1999) pp.1143-1146. | |
| 13. Khairurrijal, S.Miyazaki, S.Takagi and M.Hirose, “Analytical Modeling of Metal Oxide Semiconductor Inversion-Layer Capacitance”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.38 (1999) pp.L30-L32. | |
| 14. Khairurrijal, S.Miyazaki and M.Hirose, “Calculation of Subband States in a Metal-Oxide-Semiconductor Inversion Layer with a Realistic Potential Profile”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.38 (1999) pp.1352-1355. | |
| 15. Khairurrijal, S.Miyazaki and M.Hirose, “Electron Field Emission from a Silicon Subsurface Based on a Generalized Airy Function Approach”, J. Vac. Sci. & Technol. B, Vol.17 (1999) pp.306-310. | |
| 16. M. Koh, K. Egusa, H. Furumoto, T. Shirakata, E. Seo, K. Shibahara, S.Yokoyama and M. Hirose, “Quantitative Evaluation of Dopant Loss in 5-10 keV As Implantation for Low-Resistive, Ultra Shallow Source/Drain Formation”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38 (1999) pp.2324-2328. | |
| 17. S. Miyazaki, K. Shiba, N. Miyoshi, K. Etoh, A. Kohno and M. Hirose, “Luminescence Study of Self-Assembled, Silicon Quantum Dots”, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.536 (1999) pp.45-50. | |
| 18. S. Yokoyama, Y. Nakashima and K. Ooba, “Atomic-Layer Deposition of Silicon Nitride”, J. Korean Phys. Soc., Vol.35 (1999) pp.S71-S75. | |
| 19. Y. Isawa and H. Horii, “A Theoretical Approach to Tunneling Processes in Quantum Structures”, J. Phys. Soc. Jpn., Vol.68, No.11 (1999) pp.3481-3484. | |
| 20. S. Kinoshita, T. Morie, M. Nagata, and A. Iwata, “New Non-Volatile Analog Memory Circuits Using PWM Methods”, IEICE Trans. Electron., Vol.E82-C, No.9 (1999) pp.1655-1661. | |
| 21. N. Shimizu, M. Ikeda, E. Yoshida, S. Miyazaki and M. Hirose, “Charging States of Si Quantum Dots as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39 (2000) pp.2318-2320. | |
| 22. Khairurrijal, W.Mizubayashi, S.Miyazaki and M.Hirose, “Analytical Model of Direct Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides”, J. Appl. Phys., Vol.87, No.6 (2000) pp.3000-3005. | |
| 23. Khairurrijal, W.Mizubayashi, S.Miyazaki and M.Hirose, “Unified Analytic Model of Direct and Fowler-Nordheim Tunnel Currents through Ultrathin Gate Oxides”, Appl. Phys. Lett., Vol.77, No.22 (2000) pp.3580-3582. | |
| 24. M. Hirose, W.Mizubayashi, Khairurrijal, M.Ikeda, H.Murakami, A.Kohno, K.Shibahara and S.Miyazaki, “Ultrathin Gate Dielectrics for Silicon Nanodevices”, Superlattices and Microstructures Vol.27 (2000) p.383. | |
| 25. A. Nakajima, T. Yoshimoto, T. Kidera, K. Obata, S. Yokoyama, H. Sunami and M. Hirose, “Atomic-Layer-Deposited Silicon-Nitride/SiO2 Stacked Gate Dielectrics for Highly Reliable p-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors”: Appl. Phys. Lett., Vol.77 (2000) pp.2855-2857. | |
| 26. Y. Isawa and H. Horii, “Transport through a Metallic Quantum Dot in the Limit of Strong Coulomb Interaction”, J. Phys. Soc. Jpn., Vol.69, No.3 (2000) pp.655-658. | |
| 27. Y.Isawa and H. Horii, “Co-tunneling Current through a Single Quantum Dot”, J. Phys. Soc. Jpn.,Vol.69 (2000) pp.1253-1254. | |
| 28. K.Shibahara, K.Egusa, K.Kamesaki and H.Furumoto, “Improvement in Antimony-Doped UltraShallow Junction Sheet Resistance by Dopant Pileup Reduction at the SiO2/Si Interface”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.39 (2000) pp.2194-2197. | |
| 29. T. Yamanaka, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata, “A Single-Electron Stochastic Associative Processing Circuit Robust to Random Background-Charge Effects and its Structure using Nanocrystal Floating-Gate Transistors”, Nanotechnology, Vol.11, No.3 (2000) pp.154-160. | |
| 30. H. Ando, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata, “A Nonlinear Oscillator Network for Gray-level Image Segmentation and PWM/PPM Circuits for its VLSI Implementation”, IEICE Trans. on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Science, Vol.E83-A, No.2 (2000) pp.329-336. | |
| 31. M. Koh, W. Mizubayashi, K. Iwamoto, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Miyazaki and M. Hirose, “Limit of Gate Oxide Thickness Scaling in MOSFETs due to Apparent Threshold Voltage Fluctuation Induced by Tunnel Leakage Current”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol.48, No.2 (2001) pp.259-264. | |
| 32. H.Sakaue, S.Fujiwara, S.Shingubara and T. Takahagi, “Atomic-scale defect control on hydrogen-terminated silicon surface at wafer scale”, Appl. Phys. Lett., Vol.78, No.3 (2001) pp.309-311. | |
| 33. S. Miyazaki, M. Ikeda, Y. Yoshida, N. Shimizu and M. Hirose, “Nucleation Site Control in Self-Assembling Si Quantum Dots on Ultrathin SiO2/c-Si”, Proc. 25th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors (Osaka, 2001) to be published. | |
| 34. S. Kinoshita, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata, “A PWM Analog Memory Programming Circuit for Floating-Gate MOSFETs with 75us Programming Time and 11b Updating Resolution”, to be published in IEEE J. Solid-State Circuits, 2001. | |
| (2)口頭発表 | |
| 1) 招待,口頭講演 (国内75件,海外8件) | |
| 1. A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, S. Miyazaki and M. Hirose, “Electron Charging to Silicon Quantum Dots as a Floating Gate in MOS Capacitors”, Extended Abstracts of the 1997 International Conference on Solid State Devices and Materials (Hamamatsu, September 1997). | |
| 2. S. Shingubara, O. Okino, H. Sakaue, and T. Takahagi, “Ordered two dimensional nanowire array formation using self-organized nanoholes of anodically oxidized aluminum”, 1997 International Microprocess and Nanotechnology Conf. (Nagoya, July 1997). | |
| 3. Y. Isawa, N. Matsubara,”Shot noise in double barrier structures”, Intern. Workshop on Nano-Physics and Electronics (Tokyo, September 1997). | |
| 4. H. Sakaue, Y. Katsuda, S. Shingubara and T. Takahagi,”Al Nano-Structure Formation using Selective Reactivity of Step/Terrace Structure of Hydrogen-terminated Si(111) Surface”, The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (Tokyo, October 1997). | |
| 5. A. Kohno, S. Miyazaki, H. Murakami, M. Ikeda and M. Hirose, “Electron Charging to a Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in MOS Structures”, the 3rd Intern. Workshop on Quantum Functional Devices (Maryland, November 1997). | |
| 6. M. Koh, K. Egusa, H. Furumoto, K. Shibahara, S.Yokoyama and M. Hirose, “Quantitative Evaluation of Dopant Loss in Low Energy As Implantation for Low-Resistive, Ultra Shallow Source/Drain Formation”, Extended Abstracts of the 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Hiroshima, September 1998). | |
| 7. K. Ooba, Y. Nakashima, A. Nakajima and S. Ykokoyama, “Self-Limiting Atomic-Layer Selective Deposition of Silicon Nitride by Temperature-Controlled Method”, Extended Abstracts of the 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Hiroshima, September 1998). | |
| 8. S.A. Ding, M. Ikeda, M. Fukuda, S. Miyazaki and M. Hirose, “Quantum Confinement Effect in Self-Assembled, Nanometer Silicon Dots”, Extended Abstracts of the 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Hiroshima, September 1998). | |
| 9. A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Single Electron Charging to a Si Quantum Dot Floating Gate in MOS Structures”, Extended Abstracts of the 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Hiroshima, September 1998). | |
| 10. H. Sakaue, T. Tanaka, S. Fujiwara, S. Shingubara and T. Takahagi, “Wafer-Scale Self-Organization of Periodic Step/Terrace Structure on Hydrogen-Terminated Si Surface”, Extended Abstracts of the 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Hiroshima, September 1998). | |
| 11. T. Yamanaka, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata, “A Stochastic Associative Memory Using Single-Electron Devices and Its Application to Digit Pattern Association”, Extended Abstracts of the 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Hiroshima, September 1998). | |
| 12. S. Yokoyama, Y. Nakashima and K. Ooba, “Atomic-Layer Deposition of Silicon Nitride”, International Union of Materials Research Society, 4th International Conference on Electronic Materials (Cheju, October 1998). | |
| 13. M. Koh, K. Iwamoto, W. Mizubayashi, K. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S.Yokoyama, S. Miyazaki, M.M. Miura and M. Hirose, “Threshold Voltage Fluctuation Induced by Direct Tunnel Leakage Current through 1.2-2.8 nm Thick Gate Oxides for Scaled MOSFETs”, Technical Digest of International Electron Devices Meeting (San Francisco, December 1998). | |
| 14. H. Ando, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata, “Oscillator Networks for Image Segmentation and their Circuitsusing Pulse Modulation Methods”, 5th International Conference on Neural Information Processing (Kitakyushu, October 1998). | |
| 15. T. Takahagi, S. Shingubara and H. Sakaue, “Wet Preparation of Atomic-Scale Defect-Free Hydrogen-Terminated Si Wafer Surface”, 196th Meeting of the Electrochemical Society (Honolulu, 1999)(Invited). | |
| 16. S. Miyazaki, H. Murakami, M. Ikeda, E.Yoshida, A. Kohno and M. Hirose, “Self-Assembling of Silicon Quantum Dots and Its Application to Floating Gate Memory”, Intern. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (Yokohama, July 1999)(invited). | |
| 17. H. Sakaue, S. Fujiwara, H. Nakanishi, S. Shingubara and T. Takahagi, “Perfect Control of Hydrogen-Terminated Silicon Wafer Surface”, 9th International Conf. on Production Engineering (Osaka, August 1999). | |
| 18. H. Ando, M. Miyake, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata,“A Nonlinear Oscillator Network Circuit for Image Segmentation with Double-threshold Phase Detection”, 9th International Conference on Artificial Neural Networks (Edinbara, September 1999). | |
| 19. T. Yamanaka, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata, “A Stochastic Association Circuit Using PWM Chaotic Signals”, Extended Abstracts of the 1999 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Tokyo, September 1999). | |
| 20. K. Shibahara, K. Egusa and Koji Kamesaki, “Improvement in Sheet Resistance of Sb-Doped Ultra Shallow Junction by Dopant Pileup Reduction at the SiO2/Si Interface”, Extended Abstracts of the 1999 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Tokyo, September 1999). | |
| 21. Khairurrijal, W. Mizubayashi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Unified Model of Tunnel Current through Nanometer-Thick Gate Oxides”, 1st Intern. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology (Tokyo, October 1999). | |
| 22. M. Hirose, “Ultrathin Gate Dielectrics for Silicon Nanodevices”, Extended Abstracts of Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices 1999 (Hawaii, December 1999)(invited). | |
| 23. T. Morie, T. Matsuura, S. Miyata, T. Yamanaka, M. Nagata and A. Iwata, “Quantum Dot Circuits Measuring Hamming Distance for Associative Memory”, Extended Abstracts of Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices 1999 (Hawaii, December 1999). | |
| 24. S. Miyazaki, Y. Yoshida, Y. Hamamoto and M. Hirose, “Nucleation Site Control in Self-Assembling of Silicon Quantum Dots on Ultrathin SiO2/c-Si”, Intern. Symp. on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (Tokyo, 1999). | |
| 25. M. Hirose, Khairurrijal, M. Ikeda, H. Murakami, A. Kohno, T. Morie and S. Miyazaki, “Tunneling in Ultrathin Gate Oxides and Related Properties of Silicon Nanodevices”, 2000 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (Hawaii, June 2000) (invited). | |
| 26. A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Transient Characteristics of Electron Charging in Si-Quantum-Dot Floating Gate MOS Memories”, Extended Abstracts of the 2000 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Sendai, August 2000). | |
| 27. H. Murakami, T. Mihara, S. Miyazaki and M. Hirose, “Etch Damage gf n+Poly-Si Gate Side Wall as Evaluated by Gate Tunnel Leakage Current”, Extended Abstracts of the 2000 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Sendai, August 2000). | |
| 28. T. Matsuura, T. Morie, M. Nagata and A. Iwata, “A Multi-Quantum-Dot Associative Circuit Using Thermal-Noise Assisted Tunneling”, Extended Abstracts of the 2000 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Sendai, August 2000). | |
| 29. H. Ando, T. Morie, M. Miyake, M. Nagata and A. Iwata, “Image Object Extraction using Resistive-Fuse and Oscillator Networks and a Pulse-Modulation Circuit for their LSI Implementation”, Extended Abstracts of the 2000 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Sendai, August 2000). | |
| 30. T. Morie, T. matuura, M. Nagata and A. Iwata, “Quantum Dot Structures Measuring Hamming Distance for Associative Memories”, 4th International Workshop on Quantum Functional Devices (Kanazawa, November 2000) (invited). | |
| 31. 宮崎誠一, 福田昌俊,柴和利, 中川和之, 廣瀬全孝, 香野淳 ”Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性” 電子情報通信学会 電子デバイス研究会(広島, 1997年3月). | |
| 32. 柴和利, 中川和之, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “自己組織化形成したシリコン量子ドットからのフォトルミネッセンス” 1997年春期第44回応用物理学関係連合講演会(船橋, 1997年3月). | |
| 33. 福田昌俊, 中川和之, 池田弥央, 浜本幸昌, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “シリコン量子ドット二重障壁構造における室温共鳴トンネル伝導の評価” 1997年春期第44回応用物理学関係連合講演会(船橋, 1997年3月). | |
| 34. 中川和之, 福田昌俊, 森野航一, 柴和利, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “自己組織化形成したSi量子ドットの電子状態” 1997年春期第44回応用物理学関係連合講演会(船橋, 1997年3月). | |
| 35. 沖野修、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行、“Al陽極酸化法を用いた極微細線構造の自己組織的形成” 1997年春期第44回応用物理学関係連合講演会(船橋, 1997年3月). | |
| 36. 高萩隆行、小永田忍、立花和善、勝田義彦、新宮原正三、坂上弘之、 “水素終端Si表面へのステップ/テラス周期構造の自己組織化形成” 1997年春期第44回応用物理学関係連合講演会(船橋, 1997年3月). | |
| 37. 小野山仁, 伊澤義雅, “2準位原子と単一フォトンモードの相互作用系の動力学” 日本物理学会(名古屋, 1997年3月). | |
| 38. 足立進, 伊澤義雅, “量子セル·オートマトンのセルデザインとダイナミクス” 日本物理学会(名古屋, 1997年3月). | |
| 39. 伊澤義雅, 為重貴志, “量子ドットの動的現象に対する断熱近似とその拡張” 日本物理学会(名古屋, 1997年3月). | |
| 40. 堀井秀人, 伊澤義雅, 高根美武、“二重障壁構造におけるクーロン·ブロッケードとジョセフソン効果の競合”日本物理学会(名古屋, 1997年3月). | |
| 41. 佐圓真、森江隆、永田真、岩田穆、”単電子トンネルデバイスを用いた確率論的連想メモリ” 電子情報通信学会 ソサイエティ大会(東京, 1997年9月). | |
| 42. 池田弥央, 村上秀樹, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Si裏子ドットフローティングゲートMOS キャパシタの電荷保持特性” 1997年秋季第58回応用物理学会学術講演会(秋田, 1997年10月). | |
| 43. 村上秀樹, 池田弥央, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Si裏子ドットフローティングゲートを有するMOS キャパシタの特性評価” 1997年秋季第58回応用物理学会学術講演会(秋田, 1997年10月). | |
| 44. 長谷川徹, 伊澤義雅, “ダブルドットのコンダクタンス振動” 日本物理学会1997年秋の分科会(神戸, 1997年10月). | |
| 45. 為重貴志, 伊澤義雅, “量子ドットの動的現象に対する数値解析” 日本物理学会1997年秋の分科会(神戸, 1997年10月). | |
| 46. 古本浩章、芝原健太郎, 江草和彦、黄明植、横山新、芝原健太郎、 “低エネルギーSb+イオン注入層のパイルアップ形成過程” 1997年秋季第58回応用物理学会学術講演会(秋田, 1997年10月). | |
| 47. S.A. Ding, 福田昌俊, 池田弥央, 浜本幸昌, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Quantum Confinement Effect in Si Quantum dot as Confirmed by High-resolution X-ray Photoemission Spectroscopy (HR-XPS)” 1998年春期第45回応用物理学関係連合講演会(東京, 1998年3月). | |
| 48. 池田弥央, 村上秀樹, 西山秀樹, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “Si量子ドットフローティングゲートMOS キャパシタの電子注入特性” 1998年春期第45回応用物理学関係連合講演会(東京, 1998年3月). | |
| 49. 香野淳, 池田弥央, 村上秀樹, 福田昌俊, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Si量子ドットフローティングゲートを有するMOS キャパシタの電流-電圧特性” 1998年春期第45回応用物理学関係連合講演会(東京, 1998年3月). | |
| 50. 香野淳, 池田弥央, 村上秀樹, 福田昌俊, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Si量子ドットフローティングゲートへの光電子注入” 1998年春期第45回応用物理学関係連合講演会(東京, 1998年3月). | |
| 51. 岩本邦彦 “1-2nm極薄ゲート酸化膜上でのナノオーダー超微細Poly-Siゲート加工” 1998年春期第45回応用物理学関係連合講演会(東京, 1998年3月). | |
| 52. 沖野修、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行、“シリコン基板状へのAl陽極酸化法による極微細線構造の自己組織的形成” 1998年春期第45回応用物理学関係連合講演会(東京, 1998年3月). | |
| 53. 白方徹、古本浩章、背尾英助、黄明植、横山新、芝原健太郎、“低エネルギーAs, Sbイオン注入を用いた0.1μm nMOSFETのデバイス特性” 1998年春期第45回応用物理学関係連合講演会(東京, 1998年3月). | |
| 54. 古本浩章、江草和彦、黄明植、横山新、芝原健太郎、“低エネルギーAs+イオン注入におけるドーパント損失評価” 1998年春期第45回応用物理学関係連合講演会(東京, 1998年3月). | |
| 55. 木下茂雄, 森江隆, 永田真, 岩田穆 ”PWM信号を用いた不揮発性アナログメモリ回路” 電子情報通信学会集積回路研究会(盛岡, 1998年8月). | |
| 56. 香野淳, 池田弥央, 村上秀樹, 西山秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Si量子ドットフローティングゲートMOS構造におけるドットへの電子注入及び電荷保持特性” 1998年秋期第59回応用物理学会学術講演会(広島, 1998年9月). | |
| 57. Khairurrijal, A. Kohno, S. Miyazaki and M. Hirose, “Analytical Model of MOS Inversion-Layer Capacitance”, 1998年秋期第59回応用物理学会学術講演会(広島, 1998年9月). | |
| 58. 山中登志夫, 森江隆, 永田真, 岩田穆 ”単電子動作による確率的連想回路” 電子情報通信学会 情報·システムソサイエティ大会(山梨, 1998年9月). | |
| 59. 堀井秀人, 伊澤義雅, “クーロンブロッケード領域におけるSequential, ResonantトンネルとCo-tunneling” 日本物理学会1998年秋の分科会(那覇, 1998年9月). | |
| 60. 松原範明、伊澤義雅, “ノイズの空間依存性と空間相関” 日本物理学会1998年秋の分科会(那覇, 1998年9月). | |
| 61. 高坂誠二、伊澤義雅, “量子セル·オートマトン(QCA)の動特性” 日本物理学会1998年秋の分科会(那覇, 1998年9月). | |
| 62. 岩本邦彦, 黄明植, 水林亘, 村上秀樹, 三原竜善, 小野剛史, 芝原健太郎, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “極薄ゲート酸化膜を有するMOSFETのしきい値電圧揺らぎ” 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 63. Khairurrijal, W. Mizubayashi, A. Kohno, S. Miyazaki and M. Hirose, “Analytical Modeling of Direct Tunnel Current through Sub-4nm Ultrathin Gate Oxides”, 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 64. 水林亘, 黄明植, 岩本邦彦, 福田昌俊, 村上秀樹, 小野剛史, 三原竜善, 香野淳, 芝原健太郎, 横山新, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”極薄ゲート酸化膜を有するMOSFETにおけるゲートトンネルリーク電流” 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 65. 浜本幸昌, 吉田英司, 高岡竜太, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”自己組織化Si量子ドットの選択成長”1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 66. 吉田英司, 浜本幸昌, 高岡竜太, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”SiO2表面における自己組織化形成Si量子ドットの核密度制御” 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 67. 清水尚司, 池田弥央, 吉田英司, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”AFM/ケルビンプローブによるSi量子ドットの帯電状態評価” 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 68. 村上秀樹, 池田弥央, 西山秀樹, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”ゲート酸化膜中にSi量子ドットを有するMOS構造の電位分布” 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 69. 西山秀樹, 池田弥央, 村上秀樹, 岩本邦彦, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Si量子ドットフローティングゲートMOSFETのメモリ特性” 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 70. 香野淳, 池田弥央, 村上秀樹, 西山秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Si量子ドットフローティングゲートMOS構造における保持電荷放出特性” 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 71. 沖野修、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行、 “Al陽極酸化膜を用いた金属ナノワイヤーアレイの作製と評価“ 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 72. 大場健二、中島安理、横山新、 “Si上とSiO2上におけるSi窒化膜の選択成長” 1999年春期第46回応用物理学関係連合講演会(野田, 1999年3月). | |
| 73. 中西裕孝, 坂上弘之, 新宮原正三, 高萩隆行 “傾斜研磨によるSi(111)表面終端構造の二次元配列制御” 1999年秋期第60回応用物理学会学術講演会(神戸, 1999年9月). | |
| 74. Khairurrijal, W. Mizubayashi, H. Murakami, S. Miyazaki and M. Hirose, “Direct Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides”, 1999年秋期第60回応用物理学会学術講演会(神戸,1999年9月) | |
| 75. 池田弥央, 吉田英司, 西山秀樹, 村上秀樹, 香野淳, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”Si量子ドットフローティングゲートへの電子注入特性” 2000年春期第47回応用物理学関係連合講演会(東京, 2000年3月). | |
| 76. 吉田英司, 清水尚司, 杉岡繁, 村上秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”自己組織化形成Si量子ドットへの核形成位置制御” 2000年春期第47回応用物理学関係連合講演会(東京, 2000年3月). | |
| 77. 高岡竜太, 吉田英司,村上秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 ”自己組織化Si量子ドットの選択成長” 2000年春期第47回応用物理学関係連合講演会(東京, 2000年3月). | |
| 78. 中西裕孝, 坂上弘之, 新宮原正三, 高萩隆行 ”水素終端Si(111)表面の選択的化学反応を利用したAl細線形成” 2000年春期第47回応用物理学関係連合講演会(東京, 2000年3月). | |
| 79. 村上泰彦, 坂上弘之, 新宮原正三, 高萩隆行 ”アルミニウムドット六角格子配列の自己組織形成” 2000年春期第47回応用物理学関係連合講演会(東京, 2000年3月). | |
| 80. 中西裕孝、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行 ”水素終端Si(111)表面の選択的化学反応を利用したAl構造体形成” 2001年春期応用物理学関係連合講演会(東京, 2001年3月). | |
| 81. 高岡竜太, 杉岡繁, 村上秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “自己組織化量子ドットの核形成位置制御” 2001年春期応用物理学関係連合講演会(東京, 2001年3月). | |
| 82. 杉岡繁, 高岡竜太, 村上秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “自己組織化形成Si量子ドットの選択形成” 2001年春期応用物理学関係連合講演会(東京, 2001年3月). | |
| 83. 香野淳, 池田弥央, 村上秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “Si量子ドットフローティングゲートMOSメモリの保持特性” 2001年春期応用物理学関係連合講演会(東京, 2001年3月). | |
| 84. 磯野俊介, 高岡竜太, 村上秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 “Si量子ドット/SiO2多層構造における電子輸送” 2001年春期応用物理学関係連合講演会(東京, 2001年3月). | |
| 2) ポスター発表 (国内 2件,海外 0件) | |
| 1. S. Adachi and Y. Isawa,”Cell design and dynamics of quantum cellular automata”, Intern. Workshop on Nano-Physics and Electronics (Tokyo, September 1997). | |
| 2. Khairurrijal, W. Mizubayashi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Modeling of Direct Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides”, 1998年度第6回特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成·評価·信頼性」(御殿場, 1999年1月). | |
| (3)特許出願(国内2件,海外1件) | |
| 1) 国内 | |
| 1. 廣瀬全孝, 宮崎誠一, 香野淳 “量子構造体を用いた半導体記憶装置” 特願平9-248558号, 1997年9月12日. | |
| 2. 森江隆, 岩田穆, 永田真, 山中登志夫, 松浦知宏 “ナノスケール情報処理構造体” 特願2000-131633, 2000年4月28日. | |
| 2) 海外 | |
| 森江隆, 岩田穆, 永田真, 山中登志夫, 松浦知宏 “情報処理構造体”PCT/JP01/02469, 2001年3月27日, EPO, カナダ, 中国, 韓国, シンガポール, 米国. | |
| (4)受賞等 | |
| 1) 受賞 | |
| 第57回中国文化賞受賞 | |
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