 | | | | | 研究提案書には次のような内容が記されている。
均一サイズで位置制御されたSi量子ドット及び細線構造の形成法、及びこれらを電子のトンネルが可能なように近接して、3次元的に配列する方法を確立する。更に、孤立量子ドット、ドット結合系、Si及び金属細線、3次元集積量子構造に現れる電気的及び光学的な量子現象を実験及び理論の両面から解析する。ゲート長及びゲート幅共に30-100nmの超微細MOSトランジスタを新たに開発する。これによって、3次元集積量子構造への電気信号の入出力系として超微細MOSトランジスタを量子配線によりマトリクス状に接続した系を利用できるようにする。3次元集積量子構造体内部におけるクーロン·ブロッケイド効果や、量子構造間の電子輸送現象を利用し、学習能力を有する知能情報処理機能体を設計し、そのシステム評価を行う。 |
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