JST200214 : 戦略的基礎研究推進事業平成７年度採択研究課題研究終了報告 243-259

主な研究成果

(1) 論文発表 (海外 64 件、国内 9 件、)

V. Khavryutchenko, E. Sheka, D.H. Huang, and M. Aono: ”STM individual atom manipulation on Si(111)7x7 surface: Computational modeling”, Phys. Low-Dim Struct, 9/10 (1996) 1-106.

V. Khavryutchenko, E. Sheka, M. Aono, and D.H. Huang: ”Supercluster quantum-chemical approach to the Si(111)7x7 surface”, Phys. Low-Dim Struct., 11/12 (1996) 1-24.

中山知信: ”原子操作による半導体表面のインテリジェント化”、インテリジェント材料”、17 (1997) 5.

G. Treboux and M. Aono: ”Analysis of adsorption sites of benzene molecules on the Pd(110) surface through calculations of STM images”, J. Phys. Chem., B101(1997) 4620-4622.

Z.W. Wu, T. Nakayama, M. Sakurai and M. Aono: ”Edge enhancement of light emission from Au particles induced by an STM”, Phys. Lett., A 234 (1997) 396-400.

C.H. Jiang, T. Nakayama, and M. Aono: ”Tip induced electron occupation of an unoccupied surface state in scanning tunneling microscopy imaging of a GaAs(110) surface with Ag clusters”, Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997) L1336-L1339.

H. Kuramochi, H. Uchida, Y. Kuwahara, K. Watanabe, and M. Aono: ”Site-independent adsorption of hydrogen atoms deposited from a scanning tunneling microscope tip onto a Si(111)-7x7 surfaces”, Jpn. J. Appl. Phys., 36(1997) L1343-L1346.

M. Sakurai, C. Thirstrup, T. Nakayama, and M. Aono: ”Local modification of hydrogen-terminated silicon surfaces by clean and hydrogen-covered STM tips”, Surf. Sci., 386 (1997) 154-160.

Y. Nakajima, S. Takeda, T. Nagao, S. Hasegawa, and X. Tong: ”Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(111)-√3×√3-Ag”, Phys. Rev., B56 (1997) 6782.

Y. Nakajima, S. Takeda, T. Nagao, S. Hasegawa, and X. Tong: ”Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(111)-√3×√3-Ag”, Phys. Rev., B56 (1997) 6782-6787.

J. Yoshinobu, M. Kawai, I. Imamura F. Marumo, R. Suzuki, H. Ozaki, M. Aoki, S. Masuda, and M. Aida: ”Direct observation of molecule-substrate antibonding states near the Fermi level in Pd(110)c(4x2) benzene”, Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 3942-3945.

和田恭雄: ”原子細線を自由にパターニング”、化学と工業, 50(10) (1997)1519.

T. Hitosugi, T. Hashizume, S. Heike, S. Watanabe, Y. Wada, T. Hasegawa, and K.Kitazawa: ”Scanning tunneling spectroscopy of dangling wire fabricated on the Si(110)-2x1-H surface”, Jpn. J. Appl. Phys., 36(3B) (1997) L361.

X. Tong, C.S. Jiang, and S. Hasegawa: ”Electronic structure of the Si(111)-√21×√21-(Ag+Au) surface”, Phys. Rev., B57 (1998) 9015-9023.

長谷川修司、X. Tong、中島雄二、C.-S. Jinag、長尾忠昭: ”シリコン表面構造と表面電気伝導 (1)、(2)”、表面科学、19(1998) 114-121, 193-200.

T. Nagao, T. Tsuchie, S. Hasegawa, and S. Ino: ”Structural phase transitions of Si(111)-(√3×√3)R30°-Au phase transitions in domain wall configurations”, Phys. Rev., B57 (1998) 10100-10109.

X. Tong, Y. Sugiura, T. Nagao, T. Takami, S. Takeda, S. Ino, and S. Hasegawa: ”STM observations of Ag adsorption on the Si(111)-√3×√3-Ag surface at low temperatures”, Surf. Sci., 408 (1998) 146-159.

T. Nagao, C. Voges, H. Pfnuer, M. Henzler S. Ino, F. Shimokoshi, and S. Hasegawa: ”Diffraction from small antiphase domains: α√3×√3, β-√3×√3, and 6×6 phases of Au adsorbed Si(111)”, Appl. Surf. Sci., 130-132 (1998) 47-53.

T. Nakayama and M. Aono: ”Creation and consumption of free Si atoms at the growth front of a CaF monolayer on Si(111)7x7”, Phys. Rev. B57 (1998) 1855-1859.

Z.H. Wu, T. Nakayama, M. Sakurai, and M. Aono: ”Spin-polarized electron tunneling detected using a scanning tunneling microscope”, Surf. Sci., 386 (1998) 311-314.

C.H. Jiang, T. Nakayama, and M. Aono: ”Anomalous electron tunneling through a Ag island on the GaAs(110) surface observed by the current image tunneling spectroscopy (CITS)”, Appl. Surf. Sci., 123/124 (1998) 166-170.

T. Hitosugi, T. Hashizume, S. Heike, S. Watanabe, Y. Wada, T. Hasegawa, and K Kitazawa: ”Scanning tunneling spectroscopy of dangling bond wires fabricated on the Si(110)-2x1-H surface”, Appl. Phys. A66 (1998) S695.

S. Hasegawa, C. S. Jiang, Y. Nakajima, T. Nagao, and X. Tong: ”Surface electrical conduction correlated with surface structures and atom dynamics”, Surf. Rev. and Lett., 5 (1998) 803-819.

S. Takeda, S. Hasegawa, S. Ino, and X. Tong: ”Structure-dependent electrical conduction through Indium atomic layers on Si(111) surface”, Surf. Sci., 415 (1998) 264-273.

K. Horikoshi, T. Nagao, and S. Hasegawa: ”Structural phase transition on Pb adsorbed Si(111) Surface”, Phys. Rev. B60 (1999) 13287-13290.

T. Nagao, S. Ohuchi, Y. Matsuoka, and S. Hasegawa: ”Morphology of ultra thin manganese silicide on Si(111)”, Surf. Sci., 419 (1999) 134-143.

N. Sato, T. Nagao, S. Takeda, and S. Hasegawa: ”Electron standing waves on the Si(111)-√3×√3-Ag Surface”, Phys. Rev. B59 (1999) 2053-2039.

S. Hasegawa, X, Tong, S. Takeda, N. Sato, and T. Nagao: ”Structures and Electronic Transport on Silicon Surfaces”, progress in Surface Science, 60 (1999) 89-257

長谷川修司、佐藤昇男、武田さくら、N.W. Yeom、長尾忠昭、“シリコン表面超構造の物理”、日本物理学会誌, 53 (1999) 347-356.

H,W. Yeom, S, Takeda, E. Rotenberg, I. Matsuda, K. Horikoshi, J. Schaefer, C.M. Lee, S.D. Kevan, T. Ohta, T. Nagao, and S. Hasegawa: “Instability and charge density wave of metallic quantum chains on a silicon surface”, Phys. Rev., B60 (1999) 4898-4901.

長谷川修司、佐藤昇男、長尾忠昭、“シリコンの表面構造と電子輸送”、固体物理, 34 (1999) 81-89.

X. Tong,, K. Horikoshi, and S. Hasegawa: ”Structural and electrical conductance of Pb-covered Si(111) surfaces”, Phys. Rev. B60 (1999) 5653-5658.

Z.-H. Wu, and T. Nakayama, S. Qiao, and M. Aono: ”Luminescence from a transition metal of Fe induced with a scanning tunneling microscoope”, Surf. Sci., 415 (1998) L1032.

青野正和、C.-S. Jiang、中山知信、奥田太一、S. Qiao、桜井亮、C. Thirstrup、Z.-H. Wu: “走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性 ---ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ---”、表面科学、19 (1998) 698.

C. Thirstrup, M. Sakurai, T. Nakayama, and M. Aono: ”Atomic scale modifications of hydrogen-terminated silicon 2x1 and 3x1 (001) surfaces by scanning tunneling microscope”, Surf. Sci., 411 (1998) 203.

桜井亮、C, Thirstrup,、青野正和、“STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその装飾”、表面科学、19 (1998) 708.

C. Thirstrup, M. Sakurai, and M. Aono: ”Photon emission STM using optical fiber bunches”, Journal of Surface Analysis, 4 (1998) 152.

S. Heike, S. Watanabe, Y. Wada, and T. Hashizume: ”Electron conduction through surface states of the Si(111)-(7x7) surface”, Phys. Rev. Lett., 27 (1998) 890.

S. Heike, Y. Wada, and T. Hashizume, ”Correlation between tip apex shape and surface modification by scanning tunneling microscopy”, J. Appl. Phys., 86 (1999) 4220.

S. Heike, S. Watanabe, Y. Wada, and T. Hashizume: ”Control of surface current on a Si(111) surface by using nanofabrication”, Jpn. J. Appl. Phys., 38 (1998) 3866.

平家誠嗣、渡邊聡、和田恭雄、橋詰富博、“STMナノファブリケーションを用いた Si(111)表面電気伝導度の測定、”応用物理、 68 (1999) 419-423.

R. Tamura and M. Tsukada, ”Analysis of quantum conductance of carbon nanotube junctions by the effective-mass approximation”, Phys. Rev., B58 (1998) 812

R. Tamura and M. Tsukada: ”Band structures of periodic carbon nanotube junctions and their symmetries analyzed by the effective mass approximation”, J. P.hys. Soc. Japan, 68 (1999) 910

S. Heike, Y. Wada, and T. Hashizume, ”Correlation between tip-apex shape and surface modificattion by scanning tunneling microscopy”, J. Appl. Phys., 86 (1999) 4220.

Y.Wada, M.Tsukada, K.Matsushige, M.Fujihira, T.Ogawa, M.Haga and S.Tanaka, ”Prospects and problems of single molecule information devices”, Jpn. J. Appl. Phys., 39, (2000) 3835

Z.-H. Wu, T. Nakayama, S. Qiao, and M. Aono: ”Intensity and polarization switching behaviors of light emission induced with a scanning tunneling microscope”, Appl. Phys. Lett., 73(1998) 2269.

C. Thirstrup, M. Salkurai, T. Nakayama and M. Aono: ”Atomic scale modifications of hydrogen-terminated silicom 2x1 and 3x1(001) surfaces by scanning tunneling microscope”, Surface Science, 411 (1998) 203.

T. Kobayashi, C.F, McConville, G. Dorenbos, M. Iwaki, and M. Aono: ”Depth profile and lattice location analysis of Sb atoms in Si/Sb(δ-doped)/Si(001) structures using mediuim-energy ion scattering spectroscopy”, Apple. Phys. Lett., 74 (1999) 673.

K. Hashimoto, T. Nakayama, N. Yoshimoto, M. Yoshizawa, M. Aono, and I. Yamaguchi: ”Three distinct terraces on a β-(ET)₂I₃ surface studied by scanning tunneling microscopy”, Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1999) L464.

T. Nakayama, J. Onoe, K. Takeuchi, and M. Aono: ”Weakly bound and strained C₆₀ monolayer on the Si(111)√3x√3 R30°-Ag substrate surface”, Phys. Rev., B59 (1999) 12627.

S.-H.- Wu, T. Nakayama, S. Qiao, and M. Aono: ”Strong linear polarization in scanning tunneling microscopy-induced luminescence from porous silicon”, Appl. Phys. Lett., 74 (1999) 3842.

尾上順、中山知信、武内一夫、青野正和、“フラーレン光重合ポリマー: 現状と展望”、季刊フラーレン、7 (1999) 129.

C.-S. Jiang, T. Nakayama, and M. Aono: ”Spatially resolved observation of coulomb blockade and negative differential conductance on a Ag cluster on the clean GaAs(110) surface”, Appl. Phys. Lett., 74 (1999) 1716.

櫻井亮、青野正和: “シリコンダングリングボンドからなるナノ構造の STM誘起発光”、表面科学、20 (1999) 716.

橋本克之、中山知信、吉本則之、吉澤正人、原正彦、青野正和、山口一朗:“有機導体β-(ET)₂I₃ 表面ステップの安定性と走査トンネル顕微鏡探針による分子除去”、真空、42 (1999) 245.

T. Nagao, T. Hildebrandt, M. Henzler, and S. Hasegawa: ”Sheet plasma in a two-dimensional electron liquid in a surface-state band”, Phys. Rev. B86 (2001) 5747.

I. Shiraki, T. Nagao, S. Hasegawa, C.L. Petersen, P. Boggild, T.M. Hansen, and F. Grey: ”Micro-Four-Point Probes in an UHV-Scanning Electron Microscope for In-Situ Surface Conductivity Measurements”, Surface Review and Letters, 7 (2000) 533-537.

S. Hasegawa, N. Sato, I. Shiraki, C. L. Petersen, P. Boggild, T. M. Hansen, T. Nagao, F. Grey:”Surface-state bands on silicon --Si(111)-√3×√3-Ag surface superstructure--”, Jpn. J. Appl. Phys., 39 (2000) 3815-3822.

X. Tong, C.-S. Jiang, K. Horikoshi, and S. Hasegawa: ”Surface-state electrical conduction on the Si(111)-√3×√3-Ag surface with noble-metal adatoms”, Surf. Sci., 449 (2000) 125.

T. Nagao and S. Hasegawa: ”Construction of an ELS-LEED --an electron energy-loss spectrometer with electrostatic two-dimensional angular scanning--,” Surface and Interface Analysis, 30 (2000) 488-492.

N. Sato, T. Nagao, and S. Hasegawa; ”Two-dimensional adatom gas phase on the Si(111)-√3×√3-Ag surface directly observed by scanning tunneling microscopy”, Phys. Rev. B60 (1999) 16083.

F. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa: ”Electromigration and phase transformation of Ag on a Cu-precovered Si(111) surfaces”, Surf. Sci., 印刷中。

K. Tsuchie, T. Nagao, and S. Hasegawa: ”Structure of C₆₀ layers on the Si(111)-√3×√3-Ag surface”, Phys. Rev., B60 (1999) 11131.

F.X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa: ”Substrate-structure dependence of Ag electromigration on Au-precovered Si(111) surfaces”, Jpn. J. Appl. Phys., 39 (2000) 4438-4442.

F.X. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, S. Hasegawa: ”Diffusion Anisotropy of Ag and In on Si(111) Surface Studied by UHV-SEM”, Ultramicroscopy, 85 (2000) 23-33.

H. Aizawa, M. Tsukada, N. Sato, and S. Hasegawa: ”Asymmetric structure of the Si(111)-√3×√3-Ag surface”, Surf. Sci., 429 (1999) L509.

K. Kuramochi, K. Takami, A. Saito, Y. Kuwahara, Y. Mori, S. Otani, and M. Aono: ”Surface reconstruction of TiC(001) and its chemical activity for oxygen”, Appl. Phys. Lett., 75 (1999) 3784-3786.

T. Nakayama, J. Onoe, K. Nakatsuji, J. Nakamura K. Takeuchi, and M. Aono ”Photoinduced products in a C60 monolayer on Si(111)√3x√3-Ag: An STM study”, Surf. Rev. Lett., 6 (1999) 1073-1078.

J. Onoe, T. Nakayama, A. Nakao, Y. Hashi, K. Esfarjani, Y. Kawazoe, M. Aono, and K. Takeuchi: ”In situ FTIR, XPS, and STM studies of the nano-structure of a photopolymerized C₆₀ film”, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 340 (2000) 689-694.

H. Uchida, S. Watanabe, M. Mase, H. Kuramochi, and M. Aono: ”Analysis of single Si atoms deposited on the Si(111)7×7 surface”, Thin Solid Films, 369 (2000) 73-78.

M. Sakurai, C. Thirstrup, and M. Aono: ”Nanoscale growth of silver on prepatterned hydrogen-terminated Si(001) surfaces”, Phys. Rev., B62 (2000) 16167-16174.

S.V. Ryjkov, T. Nagao, V.G. Lifshiits, and S, Hasegawa: ”Phase transition and stability of Si(111)8×”2” in surface phase at low temperature”, Surf. Sci., 488 (2001) 15-22.

S. Hasegawa and F. Gray: ”Surface Electronic transport --From point-contact transistor to Multi-tip STM--”, Surf. Sci., 500, 印刷中

Y. Okawa and M. Aono: ”Chain polymerization triggered by a scanningprobe tip at designated points”, Nature 409 (2001) 683-684.

Gengmin Zhang, Y. Kuwahara, Jingwen Wu, M. Akai-Kasaya, A. Saito, M.
Aono, ”Scanning Tunneling Microscopy Observation of Binary Monolayers of
10,12-Ticosadiynoic Acid and Stearic Acid Deposited by Horizontal Lifting
Method”, Surf. Sci., 476 (2001) L254-L258.

(2) 口頭発表

1) 招待、口頭講演 (海外 62 件、国内 55 件)

<招待講演>

M. Aono: ”Mechanism of Atomic-Scale Lithography”, Japanese-Swiss Science Seminary: Nanoscience- The Impact of Scanning probe Microscopy, Switzerland, 12月2日(1996).

Y. Wada: ”Atom Electronics: A Proposal of Atom/Molecule Switching Devices”, Intern. Workshop on Science and Technology of Hydrogen Terminated Silicon Surfaces, Tsukuba, Japan, 11月4日 (1997).

Y. Wada: ”Atom Electronics: A Proposal of Atom/Molecule Switching Devices”, Molecular Electronics: Science and Technology, puerto Rico, U.S.A., 12月14日(1997).

M. Aono、C.-S. Jiang, T. Nakayama, T. Okuda, C. Thirstrup, M. Sakurai, Z,-H. Wu, and S. Quiao: ”Experimental methods to explore novel Properties of nanostructures”, Spanish-Japanese Symposium on Nano Scale Sciences, Spain, 10月7日 (1998).

T. Nakayama, J. Onoe, K. Takeuchi, C.-S. Jiang, T. Okuda, and M. Aono:
”Possibility of C₆₀ engineering in a monolayer regime”, Spanish-Japanese Symposium on Nano Scale Sciences, Spain, 10月5日 (1998).

M. Kawai: ”Migration and Molecular interaction of adsorbed CO on Ni(100) at low coverages”, Spanish-Japanese Symposium on Nano Scale Sciences, Spain, 10月 5日(1998).

I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa: ”Micro- and nano-four-point probes for surface conductivity measurements”, The US-Japan Seminar on Mesoscopic Phenomena on Surfaces, Salt Lake City, USA, April 2-8 (2000)

M. Aono: ”New methods for nanoscale structure fabrication and property measurement”, 2nd UK-Japan Seminar, Harima, Japan, July (2000).

M. Aono: ”New methods for nanoscale structure fabrication and property measurement”, The 8th Asia Pacific Physics Conference, Tapei, Taiwan, Aug. (2000).

M. Aono: ”New Methods for nanoscale fabrication and characterization”, Trends In Nanotechnology 2000 (TNT2k), Toledo, Spain, Oct. (2000).

M. Aono: ”Nanoscale fabrication and characterization”, Asia-Pacific Surface & Interface Analysis Conference, Beijing, China, Oct.( 2000).

M. Aono: ”Exploring new methods for nanofabrication and nanocharacteriza- tion”, Strategies in Nanotechnology Japanese German Symposium, Berlin, Germany, Nov. (2000).

M. Aono: ”Local and non-local photo- and electro-chemical reactions”, First International Symposium on Nanoarchitectonics Using Suprainteractions (NASI1), Tsukuba, Japan, Nov. (2000).

M. Aono: ” Nanoscale Fabrication and Quantized Conductivity”, Symposium on Surface Science 2001(3S ’01), Furano, Japan, Jan. (2001).

M. Aono: ”Chain-polymerization nanoscale wiring and solid-electrochemical quantum-point-contact switching”, Gorden Conference on Chemical Reaction at Surface, Ventura, California, U.S.A., Feb. (2001).

Y. Okawa, and M. Aono: ”Creation of a conjugated polymer nanowire at designated positions by STM”, First International Conference on Molecular electronics and Bioelectronics, Awaji, Japan, March (2001).

<口頭講演>

国外

M. Sakurai, C. Thirstrup, T. Nakayama, and M. Aono: ”Atomic Scale Desorp- tion of Hydrogen on Si(100)”, The 10^th TOYOTA Conf. on ”Atomic Molecular and Electronic Dynamic Processes on Solid Surfaces”, Mikkabi (Shizuoka), 11月6日 (1996)

G. Treboux, T. Nakayama, and M. Aono: ”Physical Mechanisms of Atom Manipulation by the Scanning Tunneling Microscope”, The 10^th TOYOTA Conf.on ”Atomic Molecular and Electronic Dynamic Processes on Solid Surfaces”, Mikkabi (Shizuoka), 11月6日 (1996)

Z.-H. Wu, T.Nakayama, M.Sakurai, and M. Aono: ”Spin Polarized Tunneling Detected by STM”, The 10^th TOYOTA Conf. on ”Atomic Molecular and Electronic Dynamic Processes on Solid Surfaces”, Mikkabi (Shizuoka), 11月6日 (1996)

M. Sakurai, C.Thirstrup, T. Nakayama, and M. Aono: ”The Atomic Scale Desorption of Hydrogen Atom from Si(001) Surface with Scanning Tunneling Microscopy”, Intern. Symp. on Surface Nano-Control of Environmental and Related Materials, Tokyo, 11月26日 (1996).

Y. Wada: ”A Proposal of Atom/Molecule Switching Devices”, Nanotechnology: Materials, Manufacturing and Applications, San Francisco, U.S. A., 6月27日 (1997).

Z.-H. Wu, T. Nakayama, C.-S. Jiang and M. Aono: ”A Few Interesting Phenomena Related to Electron Tunneling in Scanning Tunneling Microscopy (STM)”, 44^th International Field Emission Symposium, Tsukuba, 7月9日(1997).

T. Hitosugi, T. Hashizume, S. Heike, S. Watanabe, Y. Wada, T. Hasegawa, and K. Kitazawa, ”Scanning Tunneling Spectroscopy of Dangling Bond
Wires Fabricated on the Si(100)-2x1-H Surface”, 9^th Intern. Conference on Scanning Tunneling Microscopy Spectroscopy and Related Techniques, ハンブルグ,Germany, 7月20日 (1997)

S. Hasegawa, ”Surface Atom Dynamics and Surface Electronic Transport”, Japanese-German Symposium on Dynamics and Kinetics of Surface Processes, Berlin, Germany, 9月21日(1997).

S. Hasegawa, X. Tong, C.-S. Jiang, N. Sato, Y. Nakajima and T. Nagao, ”Surface-State Electrical Conduction on Silicon”, US-Japan Symposium on Surface Science, Salt Lake City, U.S.A, 4月2日(0998).

N. Kobayashi, M. Brandbyge,, and M. Tsukada, ”Theory of electron transport through Atomic wires”, Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo、6月3日 (1998)

Z.-H. Wu, S. Qiato, T. Nakayama,and M. Aono,, ”Novel Electronic and optical properties of nanoclusters probed by scanning tunneling luminescence technique using a n STM”, CAS Young Scholars Nanometer Science Symposium ’98, Beijing, China, 8月5日 (1998).

K. Horikoshi, X. Tong, N. Sato, T. Watari, T. Nagao, and S. Hasegawa, ”Structural phase transtions and electrical conductance of Pb adsorbed Si(111) Surface”, 10^th International Conference on Solid Surfaces (ICSS-10),9月1日 (1998).

T. Nagao and S. Hasegawa, ”Structural phase transition in two-dimensional domain walls: Phase transitions of Au/Si(111)”, 10^th International Conference on Solid Surfaces,
Bermingham, England, 9月3日 (1998).

T. Nagao, S. Ohuchi, Y. Matsuoka, and S. Hasegawa, ”Structures and electrical conduction on silicon surfaces”, 第3回日本·ロシア半導体表面シンポジウム、9月19日 (1998).

T. Nagao, S. Ino, S. Hasegawa, C. Voges, H. Pfnuer, ad M. Henzler, ”Diffraction from Small Antiphase Domains: α- √3×√3, β-√3×√3, and 6×6 Phases of Au Adsorbed Si(111)”, The Fourth International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, Tokyo, 10月27日 (1998).

S. Takeda, T. Nagao, and S. Hasegawa, ”Surface Morphology and Conductance changes of In on Si(111)-7×7 Surface”, The Fourth International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, Tokyo, 10月28日 (1998).

K. Horikoshi, T. Nagao, S. Hasegawa, ”Structure and Electrical Conductance of Pd Layers on Si(111) Surface”, The Fourth International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, Tokyo, 10月28日 (1998).

Y. Nakajima, S. Takeda, T. Nagao, S. Hasegawa, and X. Tong, ”Electric Conduction via a Surface-state band due to carrier doping on Si(111)-√3×√3-Ag”, The Fourth International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, Tokyo, 10月30日 (1998)

S. Takeda, H. W. Yeom, N. Sato, T. Nagao, and S. Hasegawa: ”Low temperature STM observation of Si(111)-8x2-in one-dimensional charge density wave”, The 5^th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures,, Aix en Provenxe, France, July 9 (1999).

T. Nagao and S. Hasegawa:: ”Development of a high-resolution electron energy loss spectrometer with two-dimensional angular scanning”, The 5^th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures,, Aix en Provenxe, France, July 9 (1999).

T. Nagao, T. Sekiguchi, T. Doi, and S. Hasegawa: ”Growth of single crystal ultra-thin film of Bi on Si(111) surfaces”, International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Devices Fabrication, Tokyo, Nov. 30 (1999).

S. Hasegawa, N. Sato, T. Nagao, H. Aizawa, and M. Tsukada: ”Structure of Si(111)-√3x√3-Ag surface”, International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Devices Fabrication, Tokyo, Nov. 30 (1999).

I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey, and S. Hasegawa, ”Micro- and nano-four point probes for surface conductivity measurements”, The 3^rd SANKEN International Symposium on ”Advanced Nanoelectronics: Devices, Materials, and Computing”, Suita, Osaka, March 14 (2000).

S. Ryjkov, T. Nagao, S. Hasegawa, ”Epitaxial growth and resistance of Ag on Si(111)-4x1-In surfaces”, The 3^rd SANKEN International Symposium on Advanced Nanoelectronics: Devices, Materials, and Computing, Suita, Osaka, Japan, March 15 (2000).

T. Nagao and S. Hasegawa, ”Effect of interface modification by surface superstructures on the growth of Bi overlayers”, International Symposium on Surface and Interface 2000 --Properties of Different Symmetry Crossing--, Nagoya, Sept. 18 (2000).

Shiraki, Tanabe, R. Hohara, T. Ngao, and S. Hasegawa, ”Development of independently driven four probe UHV STM”, ibid., Sept.22(2000).

T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Nagao, and S. Hasegawa, ”Growth mode and electrical conductance of Ag atomic layers on Si(001) surface”, ibid., Sept. 18 (2000).

F. Shi, I. Shiraki, T. Nagao, and S. Hasegawa, ”Surface electromigration and phase transformation of Ag and Cu on Si(111) surfaces modified by Au and Cu”, ibid.

I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, F. Grey and S. Hasegawa, ”Surface conductivity
measurements by Micro- and Nano-Four-Points Probes”, Ibid.

T. Sekiguchi, T. Nagao, and S. Hasegawa, ”A series of Ca-induced reconstruc- tions of the Si(111) surface”, ibid.

S. Ryjkov, T. Nagao, S. Hasegawa, and V. Lifshits, ”Structural and transport properties of Si(100)2×3-Na surface”, ibid.

M. Sakurai, C. Thirstrup, and M. Aono, ”STM-induced light emission from nano structures on a deuterium terminated Si(001) surface”, 19^th European Conference on Surface Science (ECOSS19), Madrid, Spain, Sept. (2000).

Y. Okawa, and M. Aono, ”Linear chain polymerization triggered by a scanning tunneling microscope”, The International Symposium on Surface and Interface-properties of Different Symmetry Crossing - 2000, Nagoya, Japan, Oct. (2000).

Y. Kuwahara, J. Wu, G. Zhang, M. Akai-Kasaya, A. Saito, and M. Aono, ”Scanning Tunneling Microscopy Observation of Self-Assembled Monolayers of Two Component Organic Molecules”, 1st Int. Sym. on Nanoarchitectonics Using Suprainteractions, Tsukuba, Japan, Nov. (2000).

Y. Okawa, and M. Aono, ”Chain polymerization initiated and terminated by a tip of scanning tunneling microscope”, ibid.

S.V. Ryjkov, V.G. Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa, ”Effects of surface structures on electrical resistance of silicon”, The Fourth Japan-Russian Seminar on Semiconductor Surfaces, Nagoya, Nov. 13 (2000).

S. Hasegawa, I. Shiraki, F. Tanabe, T. Nagao, and F. Grey, ”Conductivity measurements in Micro- and Nanometer-Scale regions on surface”, ibid.

Y. Okawa, and M. Aono, ”Chain Polymerization of diaceylene compounds triggered by a scanning tunneling microscope tip”, PACIFICHEM 2000, Honolulu, U.S. A., Dec. (2000).

J. Onoe, T. Nakayama, T. Hara, K. Takeuchi, and M. Aono, ”Structure and electronic properties of photopolymerized C₆₀ films”, ibid.

T. Nagao, H. Seki, and S. Hasegawa, ”Growth and conductivity of bismuth overlayers on Si(111) surfaces”, 251^st WE-Heraeus Seminar on ”2D Conductivity in Surface State and Monolayers”, Bad Honnef, Germany, Feb. 6 (2001).

I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, and S. Hasegawa, ”Development of 4-tip STM and surface conductivity measurements”, ibid.

S.V. Ryjkov, V.G Lifshits, T. Nagao, and S. Hasegawa, ”Influence of surface strcutures on electrical conductivity”, ibid., Feb. 7 (2001).

S. Hasegawa, ”Resume-Surface-state electronic transport-”, ibid., Feb. 8 (2001).

K. Takami, M. Akai-Kasaya, Y. Kuwahara, A. Saito, and M. Aono, ”Construction of Independently-Driven Double-Tip Scanning Tunneling Microscope”, 4th Int. Symp. On Inter Materials, Osaka, Japan, Feb. (2001).

M. Akai- Kasaya, A. Saito, Y. Kuwahara, and M. Aono, ”Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy Investigations of PTCDAπ-Stacking Monolayer on HOPG”, ibid.

国内

森脇太郎, 吉信淳, 川合真紀, ” 低温Ni(100)表面における吸着COの拡散と準安定相の形成”, 分子構造総合討論会, 博多, 10月8日 (1996).

吉信淳、川合真紀, ”Ni(100)上のメタン吸着における付着確立の変化と分子吸着層の成長”, 日本物理学会1996年秋の分科会, 山口, 10月1日(1996).

森脇太郎, 吉信淳, 川合真紀, ”低温Ni(100)表面における吸着COの拡散と準安定相の挙動”, 日本物理学会1996年秋の分科会, 山口, 10月2日(1996).

掘越孝太郎, X. Tong, 長尾忠昭, 長谷川修司, ”Pd

市原滋, 堂免一成, 吉信淳, 川合真紀, ”Pd(110)上のπ型エチレン分子の異方的配列: STMによる研究”, 日本化学会第72春季年会, 東京, 3月27日 (1997).

森脇太郎, 吉信淳, 川合真紀, ”低温Ni(100)表面における吸着COの拡散障壁”, 日本化学会第72春季年会, 東京, 3月27日 (1997).

吉信淳, 川合真紀, 今村一成, 丸茂文幸, 青木優, 増田茂, 鈴木良知, 尾崎弘行, 相田美砂子, ”Pd(110)に吸着したベンゼンのSTM像と電子状態”, 日本化学会第72年会, 東京, 3月28日 (1997).

吉信淳, 川合真紀, 今村一成, 丸茂文幸, 青木優, 増田茂, 鈴木良知, 尾崎弘行, 相田美砂子, ”Pd(110)x(4x2)-ベンゼンのフェルミレベル近傍の電子状態とSTM像”, 日本物理学会第52年会, 名古屋, 3月31日(1997).

和田恭雄, ” 原子レベル人工構造形成への試み”, 日本学術振興会第132委員会荷電粒子ビームの工業への応用, 熱海, 5月16日 (1997).

和田恭雄, ”原子、分子操作による新規電子素子創成の提案”, 文部省重点領域研究「分子系超構造の設計、創成」第5回全体会議, 福岡, 7月4日 (1997).

川合真紀, 吉信淳, ”金属表面における吸着分子と飛来分子の相互作用”, 第49回コロイドおよび界面化学討論会, 東京, 9月20日 (1997).

和田恭雄, ”A Proposal of Nanoscale Devies Based on Atom/Molecule Switching”, 新機能素子技術シンポジウム、東京、10月8日(1997).

掘越孝太郎, X. Tong, 長尾忠昭, ”Pd吸着Si(111)表面における新構造と電気伝導”, 日本物理学会秋の分科会, 神戸, 10月8日 (1997).

長尾忠昭, 長谷川修司, ”Si(111)表面上のMn:2次元シリサイドのモルフォロジー観察”,日本物理学会秋の分科会, 神戸, 10月8日 (1997).

白木一郎, 鳥山啓之亮, 長尾忠昭, 長谷川修司, ”UHV-SEM/SREMによるSi(111)√21×√21-(Ag+Au)形成過程の観察”, 日本物理学会秋の分科会, 神戸, 10月7日 (1997).

鳥山啓之亮, 長尾忠昭, 長谷川修司, ”Si(111)-√3×√3Ag 表面上のアルカリ吸着による構造と電気伝導”,日本物理学会秋の分科会, 神戸, 10月8日 (1997).

中山知信、尾上順、中辻寛、武内一夫、青野正和、“半導体表面上のC₆₀単分子層膜における光重合のSTM観察“、第15回フラーレン総合シンポジウム、宮城県松島町、7月22日 (1998).

呉章華、喬山、中山知信、青野正和、“Electronic and magnetic States in Ferromagnets observed by a spin-polarized scanning tunneling microscope”, 第22回日本応用物理磁気学会学術講演会シンポジウム“スピン偏極STM研究の現状と課題”、札幌、9月23日 (1998).

関口武治, 霜越文夫, 井野正三, 長尾忠昭, 長谷川修司, ”Si(111)-nx1-Ca 表面構造のRHEED-STM 観察”, 日本物理学会春の年会, 千葉, 3月31日 (1998).

堀越孝太郎, 渡利泰山, 長尾忠昭, 長谷川修司, ”Pd吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導測定”, 日本物理学会春の年会, 千葉, 3月31日 (1998).

武田さくら, 長尾忠昭, 長谷川修司, ”In/Si(111)-7x7表面の形態と電気伝導の変化”, 日本物理学会春の年会, 千葉, 4月1日 (1998).

鳥山啓之亮, 長尾忠昭, 武田さくら, 堀越孝太郎, 長谷川修司, ”シリコン表面のアルカリ吸着による構造と電気伝導”, 日本物理学会春の年会, 千葉, 4月1日 (1998).

土江孝二, 武田さくら, 鳥山啓之亮, 掘越孝太郎, 長尾忠昭, 長谷川修司, ”Si(111)表面のC60分子層の構造と電気伝導測定”,日本物理学会春の年会, 千葉, 4月1日 (1998).

M. Brandbyge, N. Kobayashi, and M. Tsukada, ”Theory of metal nanocontracts”, 日本物理学会1998秋の分科会、沖縄、9月25日 (1998).

中山知信、尾上順、中辻寛、武内一夫、青野正和、“C₆₀ 単分子層膜におけるC₆₀-C₆₀重合反応 -----STMによる実空間観察----”、日本物理学会1998秋の分科会、沖縄、9月26日 (1998).

姜春生、奥田太一、中山知信、青野正和、“ダブルティップ走査トンネル顕微鏡 II”、日本物理学会1998秋の分科会、沖縄、9月27日 (1998).

佐藤昇男、長尾忠昭、武田さくら、長谷川修司、“Si(111)x/3x/3-Ag 表面上の電子安在波”、日本物理学会1998秋の分科会、沖縄、9月27日 (1998).

F.X. Shi, 白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司, ”Electromigration of Ag on Au covered Si(111) surface studied by μ-probe RHEED and SEM”, 日本物理学会1998秋の分科会、沖縄、9月27日 (1998).

森脇太郎、岸令子、吉信淳、川合真紀、“遷移金属表面におけるCOの拡散と秩序構造形成”、日本物理学会 1998秋の分科会、沖縄、9月27日 (1998).

堀越孝太郎、武田さくら、松田厳、Han-Woong Yeon、登野健介、長尾忠昭、長谷川修司、“Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導、日本物理学会1998秋の分科会、沖縄、9月28日 (1998).

武田さくら、Han-Woong Yeon、松田厳、堀越孝太郎、登野健介、長尾忠昭、長谷川修司、“In k吸着Si(111)表面の4x1←→8x2パイエルス構造相転移“、日本物理学会1998秋の分科会、沖縄、9月25日 (1998).

長尾忠昭、長谷川修司、“2次元角度走査型HREELS装置 --ELS-LEED装置- の製作“、日本物理学会1998秋の分科会、沖縄、9月28日 (1998).

長谷川修司、武田さくら、掘越孝太郎、佐藤昇男、長尾忠昭、“シリコン表面の低温物性、”、第39回真空に関する連合講演会、大阪、11月11日 (1998).

寺部一弥、中山知信、井伊伸夫、青野正和、“イオン電子混合伝導体をSTM探針とした場合の興味深い諸現象”、「量子効果等の物理現象」シンポジウム、東京、12月21日 (1998).

桑原裕司、斉藤彰、青野正和、“異種分子を使った、有機分子の自己組織化表面秩序構造の制御”、「量子効果等の物理現象」シンポジウム、東京、12月
21日 (1998).

石橋孝治、青柳克信、“半導体結合量子ドットのマイクロ波応答”、「量子効果等の物理現象」シンポジウム、東京、12月21日 (1998).

塚田捷、M. Brandbyge, 小林伸彦、“原子および分子ブリッジの量子輸送”、「量子効果等の物理現象」シンポジウム、東京、12月21日 (1998).

川合真紀、加藤浩之、市原滋、森脇太郎、“金属表面に吸着した分子間の相互作用の機構”、「量子効果等の物理現象」シンポジウム、東京、12月21日(1998).

武田さくら、H,W. Yeom, 長尾忠昭、長谷川修司、“シリコン表面上でのパイエルス転移”、「量子効果等の物理現象」シンポジウム、東京、12月21日 (1998).

中山知信、尾上順、武内一夫、青野正和、“C₆₀によって形成される半導体表面上のナノ構造”、理研シンポジウム「コヒーレント科学」、和光、2月2日 (1999).

長谷川修司、“表面電子バンドの電子輸送”、日本物理学会第54回年会、表面界面分科会シンポジウム、東広島、3月29日 (1999).

土江孝二、掘越孝太郎、武田さくら、松田厳、H.W. Yeom、長尾忠昭、長谷川修司、“日本物理学会第54回年会、表面界面分科会、東広島、3月29日(1999).

佐藤昇男、長尾忠昭、武田さくら、長谷川修司、“Si(111)-/3x/3-Ag表面の低温STM観察”、日本物理学会第54回年会、表面界面分科会、東広島、3月28日 (1999).

武田さくら、H.W. Yeom、佐藤昇男、長尾忠昭、長谷川修司、“8x2-ln/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察”、日本物理学会第54回年会、表面界面分科会、東広島、3月30日 (1999).

関口武治、長尾忠昭、長谷川修司、“Si(111) 表面上のCa吸着·脱離過程のSTM観察”、日本物理学会第54回年会、表面界面分科会、東広島、3月29日(1999).

長谷川修司: 「走査トンネル顕微鏡で結晶表面の波動関数をみる」、日本物理学会第54回年会、X線粒子線分科会シンポジウム、東広島、3月29日 (1999).

中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和、“C₆₀単層膜中における光重合C₆₀二量体および三量体の非対称電子密度分布 ----STM/STSによる検討----”、日本物理学会第54回年会、東広島、3月31日(1999).

中山知信、尾上順、中辻寛、武内一夫、青野正和: “C₆₀単層膜における光重合反応生成物のUHV-STM観察”、第17回フラーレン総合シンポジウム、岐阜、8月9日 (1999).

青野正和、小林峰、G. Dorenbos: ”中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光法(ME-CAICISS)による界面構造解析“、1999年秋季第60回応用物理学会学術講演会「界面に光をあてる -- 界面解析技術の新展開」シンポジウム、神戸、9月1日(1999).

長尾忠昭、長谷川修司: “高分解能2次元角度走査型電子エネルギー損失分光装置”、第60回応用物理学会学術講演会、神戸、9月3日 (1999).

中山知信、尾上淳、田中啓文、中村淳、武内一夫、青野正和: “Si(111)-
√3x √3-Ag 表面上の光重合C₆₀薄膜のSTMによる観察と加工”、日本物理学会1999年秋の分科会、盛岡、9月24日(1999)

中村淳、小林伸彦、渡邊聡、青野正和: “Au2原子列鎖の構造と電子状態”、日本物理学会1999年秋の分科会、盛岡、9月25日 (1999).

長尾忠昭、長谷川修司、T. Hildeblandt, M. Henzler: “表面電子バンド中に局在した(2次元?)プラズモン”、日本物理学会1999年秋の分科会、盛岡、9月25日 (1999).

白木一郎、田邊輔仁、長尾忠昭、長谷川修司、P.B. Boggild, C.L. Petersen. F. Grey: “μ-4 probe内蔵UHV-SEM-SREMによる表面電気伝導のその場観察”、日本物理学会1999年秋の分科会、盛岡、9月25日 (1999).

門平卓也、三浦義弘、中村淳、青野正和、大坂敏明: “第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√3x √3)R30°-Sn表面の評価”、日本物理学会1999年秋の分科会、盛岡、9月26日(1999).

長谷川修司、淺沼伸彦、谷川雄洋、長尾忠昭: “インジウムが吸着したSi(111)表面での低温相転移”、日本物理学会1999年秋の分科会、盛岡、9月26日 (1999).

谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司: “Si(100)上のAg原子層のunwettingと電気伝導”、同上。

中村淳、櫻井亮、渡邊聡、青野正和: “Si(001)-2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価”、日本物理学会1999年秋の分科会、盛岡、9月27日(1999).

関口武治、堀越孝太郎、長尾忠昭、松田巌、大内暁、田邊輔仁、谷川雄洋、長谷川修司、H.M. Yeom, 原沢あゆみ、木下豊彦、 X. Tong: “Si(111)- 3 x 2-Ca表面の電子状態”、日本物理学会1999年秋の分科会、盛岡、9月27日 (1999).

長尾忠昭、関口武治、長谷川修司: “Si(111)表面上の単結晶Bi超薄膜の成長メカニズム”、日本物理学会2000年春の分科会、大阪、3月24日 (2000).

大内暁、X. Tong, 谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司: “Si(111)-√21-√21-Ag表面の電子状態”、同上。

谷川雄洋、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司: “Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導2”、同上。

田邊輔仁、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司:“独立駆動型4端子STM装置の開発”、同上。

白木一郎、田邊輔仁、長尾忠昭、長谷川修司:“独立駆動型4端子STMによる表面電気伝導の測定”、同上。

堀越孝太郎、H.-W. Yeom、長尾忠昭、長谷川修司:“Si(111)-√3x√3, 3x3-Pb相転移のSTMによる研究”、同上。

堀越孝太郎、H.-W. Yeom、関口武治、武田さくら、田邊輔仁、松田巌、長尾忠昭、長谷川修司:“鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究”、同上。

長谷川修司:“表面シリサイドの電子状態と表面電気伝導”、日本化学会第78春季年会(2000)、特別企画「物質概念からみた表面化学の新展開 --原子レベルでの表面物質の生成·構造·物性--」、船橋、3月28日 (2000).

長谷川修司:“金属吸着Si表面の電気伝導”、第47回応用物理学関連連合講演会、シンポジウム「IV族半導体の新機能表面·界面」、東京、3月29日 (2000).

長尾忠昭、長谷川修司、T, Hildebrandt, and M Henzler, “表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果”、日本物理学会第55回年次大会、新潟、9月22日 (2000).

長尾忠昭、関秀嗣、長谷川修司、“Bi 多重原子層成長における表面超構造を用いた界面改質の効果”、同上、9月24日(2000).

金川泰三、長尾忠昭、谷川雄洋、長谷川修司、“アルカリ金属原子吸着Si(111)-√3×√3-Ag表面の構造と電気伝導”、同上.

S. Rjkov, 長尾忠昭、長谷川修司、V. Lifshirts, ”Epitaxial growth of Ag on Si(111)-4×1- In surface”, 同上.

中村淳、中山知信、渡邊聡、青野正和、“Structural and electronic properties of two-dimendional C60”, 第12回日本MRS学術シンポジウム、川崎、12月(2000).

長谷川修司、“いまさらSi(111)-√3×√3-Ag表面?!”、日本物学会学会第56回年次大会、東京、3月27日(2001).

谷川雄洋、白木一郎、長尾忠昭、長谷川修司、“マイクロ4端子法による電気伝導の測定”、同上。

3) プレス発表

理化学研究所·科学技術振興事業団
“分子の鎖でナノワイヤー配線 - ナノテクノロジー電子素子に新技術”
平成13年2月5日、部科学省文部科学記者会会見室

(3) 特許出願(国内 7 件、海外 3 件)

1) 国内

1. 中山知信、青野正和、寺部一弥、
走査型トンネル顕微鏡、その探針及びそれを用いた微細構造物作成方法
出願番号:平11-132857、出願日:1999年5月13日

2. 長谷川剛、青野正和、中山知信、奥田太一、寺部一弥、田中啓文
電気特性評価装置
出願番号:H11-360274、出願日:1999年12月20日

3. 中山知信、青野正和、寺部一弥、
走査トンネル顕微鏡、その探針、その探針の処理方法及び微細構造物作製方法
出願番号: 2000-618709、出願日: 1999年11月16日

4. 大川祐司、青野正和、
走査トンネル顕微鏡を用いる重合分子鎖の作成方法
出願番号:2000-176833、出願日: 2000年6月13日

5. 青野正和、大川祐司
重合分子鎖の作成方法
出願番号: 2000-224970、出願日: 2000年7月26日

6. 大川祐司、青野正和
コンダクタンスの制御が可能な電子素子
出願番号: 2000-265344、出願日: 2000年9月1日

7. 長谷川剛、青野正和、中山知信、寺部一弥
ポイントコンタクト·アレー
出願番号: 2000-334686、出願日: 2000年11月1日

2) 海外

1. 中山知信、青野正和、寺部一弥、
走査トンネル顕微鏡、その探針、その探針の処理方法及び微細構造物作製方法
出願番号:JP99/06385, 出願日: 1999年11月16日

2. 長谷川剛、青野正和、中山知信、奥田太一、寺部一弥、田中啓文
電気特性評価装置
出願番号:JP00/08776、出願日:2000年12月12日

3. 青野正和、大川祐司
重合分子鎖の作成方法
出願番号:JP00/05800、出願日:2000年月日

(4) 受賞等

1) 受賞

花王技術·化学財団平成12年度第3回研究奨励賞(表面の科学)
中山知信: C60, CaF単層結晶膜の形成と欠陥導入の原子プロセス研究

2) 新聞報道など

(新聞)

読売新聞 2001年3月6日夕刊 5面

日本経済新聞 2001年2月8日 13面

日経産業新聞 2001年2月8日 12面

東京新聞 2001年2月8日 30面

日刊工業新聞 2001年2月8日 6面

化学工業日報 2001年2月8日 1面

赤旗 2001年2月12日 14面

(雑誌、その他)

日経メカニカル 2001年3月号(No.558) p.78

現代化学 2001年5月号 pp.12-14

化学と工業 2001. Vol.54-5 p.576

子供の科学 2001年5月号 pp.50-51

理研ニュース 2001年4月号 p.5

Chemical & Engineering News, March 5, 2001, Vol. 79, Number 10, p.38

TRN (Technology Research News) News, March 7, 2001
(http://www.trnmag.com/Stories/030701/Chain_reaction_yields_microscopic_wires_030701.html)

NanotechNews.Com
(http://nanotechnews.com/nanotechnews/nano/983839133/index_html)

PHANTOMS, IST Nanoelectronics Network
(http://www.phantomsnet.com/phantom/net/nanonews.html)

EETIMES (http://www.eet.com/story/OEG20010306S0061)

Nanodot
(http://nanodot.org/article.pl?sid=01/03/14/1729230&mode=thread)

IPMM (Intelligent Processing and Manufacturing of Materials)
(http://mining.ubc.ca/ipmm/news/robotics/robotics1.html)

GFP-V2P-Les Breves Innovation (12 Mai 2001)
(http://www-ics.u-strasbg.fr/gfp/V2PBr0501.htm)

(5)その他特記事項

本研究で得られた成果は、科学技術振興事業団が平成12年度から新しく発足した“基礎的研究発展推進事業”の研究課題として採択され(「新しい量子効果デバイスの機能素子化」)、さらに発展が計られる。