JST200212 : 平成7年度採択研究課題終了シンポジウム予稿集量子効果等の物理現象 57-64

3次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用

廣瀬全孝¹⁾²⁾

1) 広島大学工学部
2) 現所属産業技術総合研究所次世代半導体研究センター

モノシラン(SiH₄)の減圧CVDを用いて、SiO₂膜上にSi量子ドットを自己組織化形成すると共に平均ドットサイズの制御手法を明らかにした。また、走査プローブ技術を用いて、SiO₂表面を反応活性なSi-OH結合で局所的に終端させることによりSi量子ドットの形成位置制御に成功した。自己組織化形成Si量子ドットアレーをフローティングゲートとしてSiO₂中に埋め込んだMOSFETを設計·作製し、ドット当り約1個の電子注入·保持によるメモリー動作を室温で確認した。結合量子ドット系における電子輸送理論を開発すると共に、量子デバイスによる情報処理の為の新システムアーキテクチャを提案し、室温でのシステム動作をシミュレーションにより確認した。