JST200303 : 平成16年度事業開始<br>大阪府地域結集型共同研究事業事業終了報告書<br>ナノカーボン活用技術の創成 88-89

高配向カーボンナノチューブのサンプル製造
高配向カーボンナノチューブの大量合成プロセス及び合成装置の開発

長坂岳志¹⁾, 土屋宏之²⁾, 東勇吾²⁾, 松葉晃明²⁾

1) 大陽日酸(株)
2) 日新電機(株)

Abstract 基板上の高配向カーボンナノチューブ (CNT) の大量合成を実現するためには、1枚あたりのタクトタイムの短縮化が必要である。また、再現性のよい連続合成を実現するためにはCVD中のタールの抑制とCVD後の炉内の清浄化 (ガス置換) が必要である。まず小型赤外線炉での実験にて5mm角触媒での合成確認、大型赤外線デモ機実験での6インチSi基板大の合成確認を行った。赤外線基板加熱による高配向CNTの合成が確認できたため、高速昇温の可能な近赤外線炉を適用し、連続合成の実現のために省スペース角型チャンバーを適用した配向CNT高速合成装置を製作した。本高速合成装置の赤外線炉は6インチSi基板を800℃に昇温させるのに10秒、±7℃という高速かつ均一な加熱が可能である。この高速合成装置により高さ分布が均一な高配向CNTの連続高速合成を実現する。また、高速合成装置に基板搬送装置を併設し、連続的な合成プロセスを確立する。