 | 高配向カーボンナノチューブのサンプル製造
高配向カーボンナノチューブ触媒の開発 (物理蒸着法)
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| | 長坂 岳志1), 渡辺(西川) 義人2), 久米 秀樹2) |
| 1) 大陽日酸(株)
2) 大阪府立産業技術総合研究所 |
| | Abstract 電子ビーム蒸着により直径6インチのシリコン基板に鉄触媒膜を成膜する。成膜した触媒は、配向CNT高速合成装置によるCVDを実施して、高配向カーボンナノチューブを成長させる。得られたカーボンナノチューブの評価結果をもとに、鉄触媒膜の最適な成膜条件を見つける。以上のようにして決められた鉄触媒膜の成膜条件を、物理蒸着法による大量成膜製造装置の仕様に反映させる。 |
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