 | 高輝度放射光による局所評価技術の開発
高精度位置決め状態分析技術の開発
(X 線マイクロビームによる局所領域ナノ構造評価技術の開発)
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| | 松井 純爾1)2), 横山 和司1), 竹田 晋吾1), 篭島 靖3), 津坂 佳幸3) |
| 1) 放射光ナノテク研究所
2) コア研究室
3) 兵庫県立大学大学院物質理学研究科 |
| | Abstract ナノコンポジット材料をはじめとする多くの物質に対して X 線マイクロプローブを所望位置に高精度 (サブミクロン) 照射させ、回折、散乱、蛍光等の構造情報 (歪み分析、凝集構造のゆらぎ、組成ゆらぎ等) を得る分析法は、様々な材料開発において必要とされるツールである。たとえば、ナノ粒子マトリクス界面の局所的凝集構造や、ナノ材料によるパターン化表面、などでは所定の場所以外に X 線ビームが照射されることを避けながら所望の箇所の分析を行う必要がある。本テーマでは、この放射光利用の X 線マイクロビーム (またはサブミクロンビーム) による局所 X 線分析に対し、所定位置に確実にかつ迅速に X 線マイクロビームを照射するための高精度位置決め技術、およびこれの制御システムを研究開発するものである。具体的には、本テーマにより高輝度放射光をミクロン〜サブミクロンレベルの精度で所望の位置に迅速に照射可能とし、局所的構造情報を確保する技術を開発し、兵庫県ビームラインおよび関連するビームラインによるナノ材料の評価体制を完成させる取組を行う。 |
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