 | | | 山本 哲也1), 牧野 久雄1), 三宅 亜紀1), 山田 高寛1) |
| | Abstract 紫外LED の実現には、酸化亜鉛（ZnO）薄膜が半導体レベルの性能とそれを実現させる製膜法とが必要不可欠である。半導体レベルの性能とは、n 型とp 型とが実現でき、かつそれぞれキャリア密度が制御可能であることを表す。製膜法とは6インチほどの基板サイズで製膜が可能であることを指す。一方、酸化亜鉛はこれまで、p 型の実現がむずかしいことが国内外でわかっている。p 型実現のためのドーパントも確定していない。
そこで、探索テーマとして、下記の理論と実験との両方からのアプローチを採用した。理論では、これまで成功していない ZnO の第 1 原理構造計算法を開発する、実験では上述基板サイズの製膜が可能でかつ、原子レベルで、設計的にドーピングできる製膜法および装置を開発する。 |
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