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平成14年度事業開始
高知県 「次世代情報デバイス用薄膜ナノ技術の開発」
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次世代透明導電膜技術の開発
3-1 次世代透明導電膜技術の開発

山本 哲也1), 牧野 久雄1), 三宅 亜紀1), 山田 高寛1), 川澤 直也2), 有光 徹紘3), 森實 敏之3)
1) 高知工科大学 総合研究所
2) ニッポン高度紙工業(株)
3) 高知工科大学大学院 工学研究科
Abstract  酸化亜鉛(ZnO)を基材とした液晶表示装置(LCD)などを用途とする透明導電膜の研究を行なう。具体的には、基礎的研究項目として、低抵抗率(10-5 Ωcm 台への実現)を目標とする。実用化研究項目では以下の4つを研究項目とする。(1)膜厚 100 - 150 nm 前後で、シート抵抗 5 - 30 Ω/Sq.以下、膜厚 50-100 nm で、シート抵抗 100 - 150 Ω/Sq.以下、(2)可視光領域での平均透過率 80 % 以上、波長 550 nm で、透過率最高となるような膜厚制御、(3)250 ℃、3 時間の条件下で、抵抗率変動 15 % 以内、(4)製膜装置の製膜高速化と表面平均粗さ 1.2 nm 以下。

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