 | TFTの分析評価及びSiGe-TFT技術の開発
2-4 TFTの分析評価
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| | 1) 高知工科大学 総合研究所
2) 高知工科大学 物質・環境システム工学科 |
| Abstract GaN、ZnO をはじめとするワイドギャップ化合物半導体に対してイオン注入法を試み、点欠陥の挙動に基づいて、欠陥形成・回復を明らかにし、ドーピング法としての技術的確立をめざす。さらにイオン照射を利用した表面微細構造形成法の可能性を探る。具体的な研究項目は下記の通りである。
1）イオン注入による微細構造形成の可能性の検討 2）微細構造形成技術の確立 3）イオン注入によって形成される欠陥の解析 4）格子欠陥回復過程の解明とイオン注入技術の確立 |
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