 | TFTの分析評価及びSiGe-TFT技術の開発
2-3 TFTの分析評価
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| | 山本 直樹1), 成沢 忠2), 根引 拓也3), 高繁 夢二3) |
| 1) 高知工科大学 総合研究所
2) 高知工科大学 電子・光システム工学科
3) 高知工科大学大学院 工学研究科 |
| Abstract 高エネルギーイオン散乱法を用いて、TFTの活性層材料として使われるZnO（酸化亜鉛）薄膜の分析を行ない、ZnO-TFTの特性向上につなげる。
ZnO薄膜はRFスパッタリング法で成膜されるが、成膜時の各種条件とその時できた薄膜の分析結果を照合し、最適な成膜条件を探る。
また、薄膜とガラス基板あるいはオーバーレイヤー（金属）との界面反応を詳しく観察し、相互拡散の有無や熱的安定性について実用的な知見を得る。
さらに、イオンインプランテーションによってインジウム（In）を導入した単結晶ZnOについて、欠陥の生成と熱処理による結晶性の回復の様子を調べる。 |
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