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| 平成14年度事業開始
高知県 「次世代情報デバイス用薄膜ナノ技術の開発」 51-52 |
| | [PDF (32K)] |
 | TFTの分析評価及びSiGe-TFT技術の開発
2-2 SiGe-TFT技術の開発
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| | 山本 直樹1), 豊田 浩孝2), 高西 雄大2), 林 孝信2) |
| 1) 高知工科大学 総合研究所
2) 名古屋大学大学院 工学研究科 |
| | Abstract 高密度·低電子温度を特長とする高励起マイクロ波プラズマを利用したプラズマ CVD 法により、低温（400-500℃）のガラス基板上に大粒径（>200nm）の高品質 SiGe 層を大面積で形成するためのプラズマ技術·薄膜形成技術を研究開発する。 |
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