 | TFT の分析評価及び SiGe-TFT 技術の開発
TFT の分析評価（高知工科大学 谷脇研究室）
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| Abstract GaN、ZnO をはじめとするワイドギャップ化合物半導体に対してイオン注入法を試み、点欠陥の挙動にもとづいて、欠陥形成·回復を明らかにし、ドーピング法としての技術的確立をめざす。さらにイオン照射を利用した表面微細構造形成法の可能性を探る。具体的な研究項目は下記の通りである。
1）イオン注入による微細構造形成の可能性の検討
2）微細構造形成技術の確立
3）イオン注入によって形成される欠陥の解析
4）格子欠陥回復過程の解明と、イオン注入技術の確立 |
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