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| 平成14年度事業開始
高知県 「次世代情報デバイス用薄膜ナノ技術の開発」 133 |
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 | TFT の分析評価及び SiGe-TFT 技術の開発
TFT の分析評価 （高知工科大学 成沢研究室）
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| | Abstract 高エネルギーイオン散乱法（RBS、イオンチャンネリング）を用いて、TFT の活性層材料として使われるZnO（酸化亜鉛）薄膜の分析を行なう。特に、ZnO 薄膜はRF スパッタリング法で成膜されるので、成膜条件と膜質の関連を調べ、最適な成膜条件を探る。 |
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