 | TFT の分析評価及び SiGe-TFT 技術の開発
SiGe-TFT 技術の開発（名古屋大学）
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| Abstract 高密度・低電子温度を特長とする高励起マイクロ波プラズマを利用したプラズマCVD法により、低温（400-500℃）のガラス基板上に大粒径（>200nm）の高品質SiGe層を大面積で形成するためのプラズマ技術・薄膜形成技術を研究開発する。
本研究では、独自のマイクロ波伝送系とアンテナによるマイクロ波プラズマ源を用いている。この方法により、従来のプラズマ源にない高いプラズマ密度を得るとともに、プロセス面積の大面積を実現することも可能である。このような新規プラズマ源は、ディスプレイデバイスなどの大型電子デバイス製造においてスループットの向上、新プロセスの実現をもたらす可能性をもつ。本研究は、このプラズマ源を用いて高結晶性かつ大粒径の SiGe 膜を低温で形成する点で独自性、新規性を持っている。 |
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