 | ZnO-TFT技術の開発
ZnO-TFT技術の開発 （株式会社土佐電子）
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| | Abstract 酸化亜鉛（ZnO）はバンドギャップEg〜3.3eV の直接遷移型半導体であり、波長 375nm 以下の紫外線を検知するセンサーとして応用可能である。また、資源が豊富であるため、低コスト化が容易である。スパッタリングにて形成することにより大面積化が可能であり、点センサーのみならず、多数のセンサーをアレイ化して線·面センサーを実現することが可能である。そこで、本研究では、ZnO-TFT の基本構造を利用した紫外センサーの理論設計·生産プロセスの確立および実用化レベルでのアプリケーション作成を目的とし、ZnO-TFT の拡張機能としての面構造、線構造の紫外センサー開発を行ない、商品化（紙幣読取機、デジタルカメラへの応用）への目処（プロトタイプ作成）を目標として研究を行なった。 |
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