 | | | 児玉 昭和1), 八坂 三夫2), 北村 智行2), 田間 政義2), 竹下 正吉2), 岡村 浩治1), 上杉 文彦3), 伊藤 奈津子3), 板垣 洋輔3), 萩原 宗明4), 宮川 隆二5) |
| 1) 九州日本電気(株)
2) (株)東京カソード研究所
3) ＮＥＣエレクトロニクス(株)
4) (財)くまもとテクノ産業財団
5) 熊本県工業技術センター |
| | Abstract 半導体製造の前工程プロセスにおいては、プラズマを応用した製造装置が基幹部分を担っているが、これら装置のプロセスチャンバ内では、その構成部品の局所部分に、マイクロアークと呼ばれる異常放電が発生している。異常放電は装置内でランダムに発生し、数10μs程度と短寿命で、電源に比べてエネルギーは小さいもののダスト発生、被処理ウエハ表面の損傷、デバイスの絶縁破壊、汚染等を引き起こす。ひとたび異常放電が発生すれば、異常放電発生部位を特定し復帰させるのにウエハに付着した物質の分析、チャンバ構成部品の調査等を行う必要があるため、半導体生産現場においては深刻な問題となっている。研究においては、異常放電が発生したら即座に検出し発生場所まで特定できる、異常放電モニタ技術の確立とプラズマ保全システムへの応用を行う。 |
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