JST200226 : 第１回公開シンポジウム予稿集「資源環境・エネルギーミニマム型システム技術」 46-47

イオン伝導体接合界面の構造

服部武志¹⁾

1) 東北大学

従来、イオン伝導体界面のイオンや電子の振る舞いや構造を解明するために、超イオン導電体RbAg₄I₅と電子伝導体接触界面におけるショットキーバリアー生成に関する研究を行ってきた。¹⁾この研究の発展、特に、ナノスケールで界面の構造の決定を含んで、種々の界面での格子整合が問題になってきた。RbAg₄I₅で良質の単結晶が得にくいため、本戦略研究では、比較的格子整合を取りやすいペロブスカイト型酸化物プロトン伝導体超格子を作製して、界面の構造を調べるために、歪の入り方や、プロトンの存在状況等を調べている。