 | | | | | 我々は最近、図1に示すような新しい両側加工プロセスを開発した1)。このプロセスで作るIJJの特徴は、
1)単結晶内部に作られるため、図2に示すように臨界電流(Ic)は均一となり、
2)2次元集積回路が作成できるため図3に示すようにアンテナやrfチョーク回路と共に同じに集積できる(図3)。
図2では接合数は18個である。この接合にサブミリ波を基板側から照射すると明確なシャピロステップが観測できる(図4)2)。この図で照周波数fFIR=1.6THzに対応するジョセフソン電圧V=Φ0fFIRN=3.4×NmVが発生している。ここでNは接合数である。図は明確なゼロクロス電圧が見られる。これはIJJとTHz波の結合が極めてよいことを示してある。この結果は精密電子計測に必要な量子電圧標装置や図1新しいIJJ両面加工プロセス示している。 |
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