 | | | | | 現在、Stranski-Krastanow(S-K)モード成長量子点に関する研究はレーザ等のデバイスが実現し、応用段階へ移行しつつある。しかし、現行デバイス開発のほとんどがサイズ不均一、位置ばらつきなどの問題を課題として残したまま進められている。量子点本来の特性の明瞭化、量子井戸を利用したデバイスを凌駕する特性実現のためにはサイズ均一化や位置制御は看過できない重要課題である。問題解決には量子点形成過程の理解の深化、量子点自身のみならず周囲媒体の量子点形成に与える影響に関する検討が必須である。このような状況に鑑み、本研究では量子点形成初期過程をエリプソメトリ法により分子層オーダーで観察し、量子点の形成臨界膜厚の同定や組成を“その場”で制御し、量子点構造の最適化を図った。また、高指数面方位基板を用いた量子点の配列制御やサイズ均一化、高密度化に関する研究を進め、結晶構造の異方性を利用した量子点の自己組織的なファセット終端化、配列現象を確認し、シングルステップの結晶成長による量子点のサイズ、位置、形状制御に関する検討を行った。 |
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